купить BSC100N03LSGATMA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
BSC100N03LSGATMA1
- Тип продуктов:
- BSC100N03LSGATMA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 17934 Pieces
- Техническая спецификация:
- BSC100N03LSGATMA1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для BSC100N03LSGATMA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки BSC100N03LSGATMA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TDSON-8 |
| Серии: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 30A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 8-PowerTDFN |
| Другие названия: | BSC100N03LS G BSC100N03LSG BSC100N03LSGINTR BSC100N03LSGINTR-ND BSC100N03LSGXT SP000275117 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | BSC100N03LSGATMA1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1500pF @ 15V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 30V 13A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 30V |
| Описание: | MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 13A (Ta), 44A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для BSC100N03LSGATMA1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 | запрос |
|
BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 | запрос |
 |
IXTJ6N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247 | запрос |
 |
IPP100N06S3L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-220 | запрос |
|
BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 | запрос |
 |
TPH3205WSBQA | Transphorm | GAN FET 650V 35A TO247 | запрос |
 |
PSMN2R0-30YLE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LFPAK | запрос |
 |
NVMFS5C450NWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V SO8FL | запрос |
|
BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON | запрос |
 |
IXTA62N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 62A TO-263 | запрос |
 |
NVB5860NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK | запрос |
|
BSC105N10LSFGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 | запрос |
|
BSC106N025S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8 | запрос |
 |
STS5N15F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 150V 5A 8SO | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog