русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > BG3430RH6327XTSA1
BG3430RH6327XTSA1
BG3430RH6327XTSA1
Тип продуктов:
BG3430RH6327XTSA1
производитель:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Описание:
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
18927 Pieces
Техническая спецификация:
BG3430RH6327XTSA1.pdf
запрос

Введение

BYCHIPS является дистрибьютором чулок для BG3430RH6327XTSA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки BG3430RH6327XTSA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
купить BG3430RH6327XTSA1 с BYCHPS
Купить с гарантией

Спецификация

Напряжение - испытания:5V
Напряжение - Номинальный:8V
Тип транзистор:2 N-Channel (Dual)
Поставщик Упаковка устройства:PG-SOT363-6
Серии:-
Выходная мощность:-
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Другие названия:BG 3430R H6327
BG 3430R H6327-ND
SP000753498
Коэффициент шума:1.3dB
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Номер детали производителя:BG3430RH6327XTSA1
Усиление:25dB
частота:800MHz
Расширенное описание:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6
Описание:MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
Текущий рейтинг:25mA
Ток - Тест:14mA
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для BG3430RH6327XTSA1

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
BG3430RE6327HTSA1 Image BG3430RE6327HTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 запрос
BF862,215 Image BF862,215 NXP USA Inc. JFET N-CH 20V 25MA SOT23 запрос
BF1201R,215 Image BF1201R,215 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R запрос
BF1101R,215 Image BF1101R,215 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143R запрос
PTFA191001F V4 R250 Image PTFA191001F V4 R250 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 запрос
VMMK-1218-TR1G Image VMMK-1218-TR1G Broadcom Limited FET RF 5V 10GHZ 0402 запрос
NE552R679A-T1A-A Image NE552R679A-T1A-A CEL FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG запрос
BLF6G22L-40BN,118 Image BLF6G22L-40BN,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1112A запрос
PTFA181001FV4R250FTMA1 Image PTFA181001FV4R250FTMA1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 запрос
MRF8P23080HSR5 Image MRF8P23080HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4 запрос
BF996S,215 Image BF996S,215 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 20V 30MA SOT143B запрос
MRF9210R5 NXP USA Inc. FET RF 65V 880MHZ 860C3 запрос
MRFE6VP6300HR3 Image MRFE6VP6300HR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 запрос
MRF7S38075HR3 Image MRF7S38075HR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 3.6GHZ NI-780 запрос
SD2903 Image SD2903 STMicroelectronics TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M229 запрос
BF1205C,115 NXP USA Inc. FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP запрос
BLF6G10L-260PBM:11 Image BLF6G10L-260PBM:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT1110A запрос

Latest Новости