купить AFT23H200-4S2LR6 с BYCHPS
Купить с гарантией
AFT23H200-4S2LR6
- Тип продуктов:
- AFT23H200-4S2LR6
- производитель:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Описание:
- FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 13805 Pieces
- Техническая спецификация:
- AFT23H200-4S2LR6.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для AFT23H200-4S2LR6, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки AFT23H200-4S2LR6 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Напряжение - испытания: | 28V |
|---|---|
| Напряжение - Номинальный: | 65V |
| Тип транзистор: | LDMOS (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства: | NI-1230-4LS2L |
| Серии: | - |
| Выходная мощность: | 45W |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | NI-1230-4LS2L |
| Другие названия: | 935311216128 |
| Коэффициент шума: | - |
| Уровень влажности (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Стандартное время изготовления: | 10 Weeks |
| Номер детали производителя: | AFT23H200-4S2LR6 |
| Усиление: | 15.3dB |
| частота: | 2.3GHz |
| Расширенное описание: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 500mA 2.3GHz 15.3dB 45W NI-1230-4LS2L |
| Описание: | FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4 |
| Текущий рейтинг: | - |
| Ток - Тест: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для AFT23H200-4S2LR6
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF888B,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A | запрос |
 |
MRF6S18100NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO2724 | запрос |
 |
PTRA093302DCV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | запрос |
 |
AFT23S170-13SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2L4S | запрос |
|
AFT23H160-25SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | запрос |
 |
BLP8G10S-45PGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | запрос |
 |
MRF7S27130HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.7GHZ NI-780 | запрос |
|
AFT23S160W02GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ | запрос |
 |
BLF7G27L-100,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | запрос |
 |
ARF468AG | Microsemi Corporation | RF MOSFET (VDMOS) | запрос |
|
AFT23S160W02SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2 | запрос |
 |
ON5257,215 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT23 TO-236AB | запрос |
|
MRF7S38010HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 | запрос |
|
BLF8G24L-200P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog