купить AFT09S200W02GNR3 с BYCHPS
Купить с гарантией
AFT09S200W02GNR3
- Тип продуктов:
- AFT09S200W02GNR3
- производитель:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Описание:
- FET RF 70V 960MHZ PLD
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 12225 Pieces
- Техническая спецификация:
- AFT09S200W02GNR3.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для AFT09S200W02GNR3, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки AFT09S200W02GNR3 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Напряжение - испытания: | 28V |
|---|---|
| Напряжение - Номинальный: | 70V |
| Тип транзистор: | LDMOS |
| Поставщик Упаковка устройства: | OM-780-2 |
| Серии: | - |
| Выходная мощность: | 56W |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | OM-780-2 |
| Другие названия: | 935320369528 |
| Коэффициент шума: | - |
| Уровень влажности (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Стандартное время изготовления: | 10 Weeks |
| Номер детали производителя: | AFT09S200W02GNR3 |
| Усиление: | 19.2dB |
| частота: | 960MHz |
| Расширенное описание: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 960MHz 19.2dB 56W OM-780-2 |
| Описание: | FET RF 70V 960MHZ PLD |
| Текущий рейтинг: | - |
| Ток - Тест: | 1.4A |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для AFT09S200W02GNR3
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT09S200W02NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ PLD | запрос |
 |
AFT09MP055GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270 | запрос |
 |
AFT09MP055NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270 | запрос |
|
AFT09S200W02SR3 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD | запрос |
|
AFT09H310-03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S | запрос |
|
AFT09MS031GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 870MHZ TO270-2G | запрос |
|
AFT09S220-02NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | запрос |
|
AFT09S282NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ OM-780-2 | запрос |
 |
AFT09MS007NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog