русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > A2I08H040GNR1
A2I08H040GNR1
A2I08H040GNR1
Тип продуктов:
A2I08H040GNR1
производитель:
NXP Semiconductors / Freescale
Описание:
IC RF LDMOS AMP
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
18222 Pieces
Техническая спецификация:
A2I08H040GNR1.pdf
запрос

Введение

BYCHIPS является дистрибьютором чулок для A2I08H040GNR1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки A2I08H040GNR1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
купить A2I08H040GNR1 с BYCHPS
Купить с гарантией

Спецификация

Напряжение - испытания:28V
Напряжение - Номинальный:65V
Тип транзистор:LDMOS (Dual)
Поставщик Упаковка устройства:TO-270WBG-15
Серии:-
Выходная мощность:9W
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:TO-270-15 Variant, Gull Wing
Другие названия:935320823528
Коэффициент шума:-
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:10 Weeks
Номер детали производителя:A2I08H040GNR1
Усиление:30.7dB
частота:920MHz
Расширенное описание:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15
Описание:IC RF LDMOS AMP
Текущий рейтинг:-
Ток - Тест:25mA
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для A2I08H040GNR1

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
PTFB193408SVV1XWSA1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 запрос
BLF2425M7L250P,118 Image BLF2425M7L250P,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A запрос
BLF878,112 Image BLF878,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A запрос
BLF6G27-135,112 Image BLF6G27-135,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT502A запрос
NE3514S02-T1C-A Image NE3514S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 10DB S02 запрос
A2I08H040NR1 Image A2I08H040NR1 NXP USA Inc. IC RF LDMOS AMP запрос
MRF6V13250HSR5 NXP USA Inc. FET RF 120V 1.3GHZ NI780S запрос
MRF9045LSR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 945MHZ NI-360S запрос
PTRA093302DC V1 R250 Infineon Technologies IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 запрос
NE3515S02-T1D-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 запрос
PTFC270051MV2R1KXUMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS запрос
BLF647P,112 Image BLF647P,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A запрос

Latest Новости