купить 2N7002-T1-GE3 с BYCHPS
Купить с гарантией
2N7002-T1-GE3
- Тип продуктов:
- 2N7002-T1-GE3
- производитель:
- Vishay / Siliconix
- Описание:
- MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 13605 Pieces
- Техническая спецификация:
- 2N7002-T1-GE3.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для 2N7002-T1-GE3, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки 2N7002-T1-GE3 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-236 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 200mW (Ta) |
| упаковка: | Original-Reel® |
| Упаковка /: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Другие названия: | 2N7002-T1-GE3DKR |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 15 Weeks |
| Номер детали производителя: | 2N7002-T1-GE3 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 50pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | - |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236 |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 60V |
| Описание: | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 115mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для 2N7002-T1-GE3
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN140N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B | запрос |
 |
2N7002-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | запрос |
 |
BUK762R9-40E,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | запрос |
|
2N7002E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | запрос |
|
2N7002K-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | запрос |
|
2N7002K-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | запрос |
 |
IXTA76P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 76A TO-263 | запрос |
 |
NTMFS4936NCT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL | запрос |
 |
IRF7422D2TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC | запрос |
|
2N7002E-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 | запрос |
|
2N7002E | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | запрос |
 |
IRC644PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 14A TO-220-5 | запрос |
|
2N7002-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog