купить STB4NK60Z-1 с BYCHPS
Купить с гарантией
STB4NK60Z-1
- Тип продуктов:
- STB4NK60Z-1
- производитель:
- ST
- Описание:
- MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 14025 Pieces
- Техническая спецификация:
- STB4NK60Z-1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для STB4NK60Z-1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки STB4NK60Z-1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±30V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | I2PAK |
| Серии: | SuperMESH™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2 Ohm @ 2A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 70W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Другие названия: | 497-12536-5 STB4NK60Z-1-ND |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | STB4NK60Z-1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 510pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 600V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 600V |
| Описание: | MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для STB4NK60Z-1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
FQI2NA90TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK | запрос |
 |
IRF7413ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | запрос |
 |
IRF6716MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET | запрос |
 |
IRF3707ZCLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 59A TO-262 | запрос |
 |
CSD17507Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 65A 8SON | запрос |
 |
STW25NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 | запрос |
 |
STB4NK60ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK | запрос |
|
IPI045N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | запрос |
 |
AUIRLZ44ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | запрос |
 |
IXTX200N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 | запрос |
 |
GP2M010A060F | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | запрос |
|
SPI80N03S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | запрос |
 |
IXTV96N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220 | запрос |
 |
NTY100N10G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 123A TO-264 | запрос |
 |
PHB11N06LT,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK | запрос |
 |
IRFZ24L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 17A TO-262 | запрос |
 |
FDN304P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog