русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > EPC8010ENGR
EPC8010ENGR
EPC8010ENGR
Тип продуктов:
EPC8010ENGR
производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
16037 Pieces
Техническая спецификация:
EPC8010ENGR.pdf
запрос

Введение

BYCHIPS является дистрибьютором чулок для EPC8010ENGR, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки EPC8010ENGR по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
купить EPC8010ENGR с BYCHPS
Купить с гарантией

Спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Технологии:GaNFET (Gallium Nitride)
Поставщик Упаковка устройства:Die
Серии:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:160 mOhm @ 500mA, 5V
Рассеиваемая мощность (макс):-
упаковка:Tray
Упаковка /:-
Другие названия:917-EPC8010ENGR
EPC8010ENGJ
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Номер детали производителя:EPC8010ENGR
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:55pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:0.48nC @ 5V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Расширенное описание:N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
Слить к источнику напряжения (VDSS):100V
Описание:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для EPC8010ENGR

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
EPC8010 Image EPC8010 EPC TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE запрос
EPC8007ENGR Image EPC8007ENGR EPC TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE запрос
EPC8005ENGR Image EPC8005ENGR EPC TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE запрос
AOL1412 Image AOL1412 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO запрос
IRF610STRR Image IRF610STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK запрос
2SK3746-1E Image 2SK3746-1E ON Semiconductor MOSFET N-CH 1500V 2A запрос
NTD60N02R-35G Image NTD60N02R-35G ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK запрос
HUFA75329S3S Image HUFA75329S3S Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK запрос
EPC8002ENGR Image EPC8002ENGR EPC TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE запрос
EPC8004 Image EPC8004 EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE запрос
NDD05N50ZT4G Image NDD05N50ZT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 5A DPAK запрос
EPC8009ENGR Image EPC8009ENGR EPC TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE запрос
IRF7807APBF Image IRF7807APBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC запрос
EPC8008ENGR Image EPC8008ENGR EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE запрос
EPC8009 Image EPC8009 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE запрос
EPC8003ENGR Image EPC8003ENGR EPC TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE запрос
EPC8002 Image EPC8002 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE запрос
EPC8004ENGR Image EPC8004ENGR EPC TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE запрос

Latest Новости