купить DMN3032LFDB-13 с BYCHPS
Купить с гарантией
DMN3032LFDB-13
- Тип продуктов:
- DMN3032LFDB-13
- производитель:
- Diodes Incorporated
- Описание:
- MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 12903 Pieces
- Техническая спецификация:
- DMN3032LFDB-13.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для DMN3032LFDB-13, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки DMN3032LFDB-13 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | U-DFN2020-6 (Type B) |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 30 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Мощность - Макс: | 1W |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 14 Weeks |
| Номер детали производителя: | DMN3032LFDB-13 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 500pF @ 15V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 10.6nC @ 10V |
| Тип FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Характеристика: | Standard |
| Расширенное описание: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B) |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 30V |
| Описание: | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 6.2A |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для DMN3032LFDB-13
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN3031LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP | запрос |
 |
DMN3032LE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 | запрос |
|
DMN3030LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | запрос |
 |
DMN3033LSNQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | запрос |
 |
DMN3032LFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 | запрос |
 |
DMN3035LWN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN | запрос |
|
DMN3032LFDBQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020 | запрос |
|
DMN3033LSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | запрос |
|
DMN3033LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | запрос |
|
DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | запрос |
|
DMN3033LSNQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | запрос |
 |
DMN3033LDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 | запрос |
 |
DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog