купить APT200GN60B2G с BYCHPS
Купить с гарантией
APT200GN60B2G
- Тип продуктов:
- APT200GN60B2G
- производитель:
- Microsemi
- Описание:
- IGBT 600V 283A 682W TO247
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 19433 Pieces
- Техническая спецификация:
- 1.APT200GN60B2G.pdf2.APT200GN60B2G.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для APT200GN60B2G, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки APT200GN60B2G по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 600V |
|---|---|
| Vce (на) (Max) @ VGE, Ic: | 1.85V @ 15V, 200A |
| режим для испытаний: | 400V, 200A, 1 Ohm, 15V |
| Td (вкл / выкл) при 25 ° C: | 50ns/560ns |
| Переключение энергии: | 13mJ (on), 11mJ (off) |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 682W |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-247-3 |
| Другие названия: | APT200GN60B2GMI APT200GN60B2GMI-ND |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 22 Weeks |
| Номер детали производителя: | APT200GN60B2G |
| Тип ввода: | Standard |
| Тип IGBT: | Trench Field Stop |
| Заряд затвора: | 1180nC |
| Расширенное описание: | IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole |
| Описание: | IGBT 600V 283A 682W TO247 |
| Ток - Коллектор Импульсные (ICM): | 600A |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 283A |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для APT200GN60B2G
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20M22JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | запрос |
|
APT20M11JVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | запрос |
 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | запрос |
|
APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | запрос |
 |
APT20M38BVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | запрос |
 |
APT20M38SVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | запрос |
|
APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | запрос |
|
APT20M38SVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | запрос |
|
APT20F50B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | запрос |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | запрос |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | запрос |
|
APT200GT60JR | Microsemi Corporation | IGBT 600V 195A ISOTOP | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog